顶刊解读|挤出式DIW 3D打印高界面结合热电制冷器件

针对半导体、热电功能元件一体化成型需求,天津铂邦科技自研DIW浆料直写成套设备,适配高固含量功能半导体墨水挤出成型,可定制微型热电柱、异形热电结构试样研发。

本文发表于Science,属于全球顶级综合学术顶刊,因此采用顶刊解读标题。传统热电器件依赖单晶制备、热压烧结、切割铣削多道高能耗工序,材料损耗大、成型自由度低;常规3D打印热电材料因颗粒界面结合差,电导率偏低,无量纲优值zT远低于块体铸锭。该研究创新功能热电墨水体系,采用挤出式DIW浆料直写一体成型p型(Bi,Sb)₂Te₃、n型Ag₂Se微型热电柱,低温烧结实现晶粒间界面冶金结合,在50%高孔隙率下仍实现顶尖热电性能,组装热电制冷器(TEC)可实现50℃空气降温温差。

整套浆料调配、微尺度热电柱数字化挤出成型、低温无压烧结工艺均可依托DIW打印系统完整复现,摆脱模具与精密机加工限制,大幅缩短热电器件研发周期。

热电zT性能对比、DIW打印设备与热电制冷器件组装总图
配图1:不同制备工艺热电材料性能、挤出打印流程、成品TEC器件全景图

双体系热电可打印墨水配方设计

针对两类热电半导体差异化烧结特性开发专属DIW墨水:n型Ag₂Se仅搭配甘油溶剂,依靠高温超离子相转变实现颗粒自结合,无需有机粘结剂;p型Bi₀.₅Sb₁.₅Te₃体系复合铋纳米颗粒与Sb₂Te₄硫属金属酸盐前驱体,烧结过程原位生成同相连接相,在无外加压力条件下构建连续导电网络。两种墨水均具备高屈服应力、低损耗黏弹性,挤出成型后生坯结构完整不塌陷。

Ag₂Se打印生坯烧结晶粒界面演变SEM机理图
配图2:Ag₂Se升温相变、孔隙与晶粒界面连接微观演变示意图与电镜图

界面结合提升热电核心性能

常规多孔打印热电材料孔隙会严重切断导电通路,本研究依靠烧结诱导晶粒界面冶金键合,平衡晶格导热与载流输运:室温p型材料zT达1.42,n型Ag₂Se zT达1.3,达到同温度区间打印热电材料世界纪录。尽管成品孔隙率接近50,但界面高密度位错、纳米孪晶大量散射声子降低热导率,同时连续晶界保障高电输运效率,加权迁移率/晶格导热比优于传统致密铸锭材料。整套微观结构调控思路可用于DIW各类半导体功能浆料开发。

3D打印热电制冷器整机性能验证

采用DIW打印直径1mm、高0.8mm微型热电柱,规整排布32对p/n阵列,蒸镀铂电极完成封装组装;室温空载工况下冷热端最大温差ΔT=50℃,真空环境下温差突破64℃,制冷系数COP最高3.8。器件经过7天连续运行、200次冷热循环后性能无衰减,具备长期稳定使用能力,适配芯片温控、可穿戴体温调节、微型红外传感器散热等精密热管理场景。

热电制冷器冷却温差与长期稳定性测试曲线
配图3:TEC制冷温差、热通量密度、7天连续循环稳定性测试结果

整套工艺科研与产业化价值

第一,DIW浆料直写实现热电元件免模具一体化成型,省去铸锭、热压、精密切割等高耗能加工步骤,材料利用率大幅提升;

第二,专属半导体墨水搭配低温无压界面烧结工艺,高孔隙率下仍维持顶尖zT性能,打破打印热电材料性能瓶颈;

第三,微型、异形热电柱可数字化自由设计,适配微型芯片、柔性穿戴等小型化精密温控器件;

第四,工艺可规模化、批次性能波动小于±10%,为固态制冷器件低成本量产提供全新增材制造路线。

本文完整总结半导体热电功能墨水调配、DIW浆料直写微型元件挤出成型、低温界面烧结全套工艺,支撑各类热电、半导体功能器件科研开发。天津铂邦科技专注DIW浆料直写设备研发制造,可根据科研、量产需求,提供标准化打印整机、软硬件系统定制、高固含量功能墨水专属工艺全流程技术服务。

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